Snapdragon 830:高通公司可能在S830芯片上采用10nm制造工艺

Snapdragon 830:高通公司可能在S830芯片上采用10nm制造工艺

Snapdragon 830:高通公司可能在S830芯片上采用10nm制造工艺

Qualcomm
中国的新报告称高通公司计划在Snapdragon 830芯片上使用10nm工艺。 如上图所示:2014年11月5日,加利福尼亚州圣地亚哥的众多建筑物之一的高通标志被描绘成 照片:路透社

虽然专用于2015年底或2016年初的高通Snapdragon 820芯片组尚未发布,但有关继任者Snapdragon 830的消息已经出现。 来自中国的一份新报告引发了S830制造工艺的第一个传闻。

现在已知的事实是,Snapdragon 820是在业界首创的14nm工艺的帮助下制造的,并且该芯片被认为是非常强大的。 据中国的MyDriver News ,相比之下,据称即将上市的高通Snapdragon 830(MSM8998)芯片组将采用相对较小的10nm工艺。

通过使用10nm FinFET半导体制造工艺,容纳Snapdragon 830 SoC的器件的功率效率将显着提高。 此外,Giz China表示,除了高效率之外,芯片组还可以通过以热量形式消耗相对较少的能量来帮助积累更多的电池寿命。

说到CPU内核,显然会使用Qualcomm制造的架构。 GSM Arena表示它可能是 ,据信在Snapdragon 820中首次亮相。这也意味着高通可能不会使用ARM架构,这是Snapdragon 810的一部分。不要忘记设备所面临的臭名昭着的过热问题由Snapdragon 810 SoC驱动。

此外,同一份报告称Snapdragon 830芯片组很可能是由三星生产的。 然而,芯片组只会在2016年下半年推出。到那时,Snapdragon 820将为许多设备供电,具体取决于芯片组的发布时间。 根据之前的报道,传闻中搭载S820的智能手机包括小米米5和三星Galaxy S7。

另一方面,据报道,联发科已经侵占了一些高通市场。 由于预算友好的产品,入门级和中档智能手机制造商一直在寻求联发科技的SoC。 据Giz China报道,毋庸置疑,高通公司在使用新芯片组从联发科和其他公司手中得很艰苦。


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